TRANSMITANSI DAN ARUS TEROBOSAN ELEKTRON DI DALAM METAL-OKSIDA-SEMIKONDUKTOR (MOS) SAMBUNGAN HETERO MATERIAL ANISOTROPIK
Total View This Week0

Institusion

Institut Teknologi Bandung

Author

(NIM 10205048), AGUSTINA (STUDENT ID : )

Subject

 

Datestamp

2017-09-27 11:45:14 

Abstract :
Perhitungan analitik transmitansi dan arus terobosan elektron di dalam metaloksida-semikonduktor sambungan hetero material anisotropik telah diturunkan. Heterostruktur Si(100)/SiO2/Si(100) digunakan dalam perhitungan analitik ini. Metode numerik fungsi Airy dipilih dalam perhitungan solusi persamaan Schrodinger untuk potensial penghalang trapezoid. Transmitansi dihitung untuk energi elektron 0.1 eV hingga 4 eV. Transmitansi menjadi lebih besar untuk energi elektron lebih besar dari 3 eV. Dengan memvariasikan tegangan bias pada potensial penghalang, ketebalan potensial penghalang, sudut datang elektron, dan kecepatan elektron, nilai transmitansi yang diperoleh menjadi berbeda. Massa efektif elektron, kecepatan elektron, dan energi fermi merupakan tiga parameter yang dicocokkan dengan hasil pengukuran arus terobosan. Terlihat bahwa arus terobosan cocok dengan hasil pengukuran untuk tegangan bias yang rendah.