PERTUMBUHAN LAPISAN PbTe DENGAN METODE CLOSE SPACED VAPOUR TRANSPORT MENGGUNAKAN SUBSTRAT InP
Total View This Week0
Total View This Week0
Institusion
Institut Teknologi Bandung
Author
SIGIT ARIFIANTO (NIM 13300074), ANDY (STUDENT ID : )
Subject
Datestamp
2017-09-27 11:05:11
Abstract :
Lead Telluride (PbTe) merupakan bahan semikonduktor dari group IV-VI yang telah banyak dipakai sebagai bahan divais infra merah dan termoelektrik. Pada tugas akhir ini, lapisan PbTe dibuat dengan metode Close Spaced Vapour Transport (CSVT) yang memiliki prinsip utama yang terletak pada kedekatan jarak antara sumber dan substrat, gradien temperatur, dan gas pembawa (yodium). Pada penelitian sebelumnya, lapisan PbTe telah berhasil ditumbuhkan pada substrat gelas pada temperatur proses 450 derajat C sampai 600 derajat C tanpa adanya pengotor (PbI2 dan Te) yang terdeposisi dan berhasil membuat lapisan PbTe dengan konduktivitas listrik tipe-p dan tipe-n. Berdasarkan penelitian tersebut, maka pada tugas akhir ini lapisan akan ditumbuhkan pada substrat monokristal InP dengan parameter proses yang sama seperti yang digunakan pada penelitian sebelumnya. Lapisan yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM), Energy Dispersive X-ray (EDX), metode Hot Probe, dan X-Ray Diffraction (XRD). Hasil karakterisasi menunjukan bahwa lapisan yang terbentuk didominasi oleh In2Te3 yang terbentuk karena adanya reaksi antara InP dengan yodium yang kemudian bereaksi dengan Te2(g). Reaksi PbI2 dengan Te2(g) yang diharapkan, ternyata tidak terjadi karena reaksi senyawa indium yodium dengan Te2(g) lebih mudah terjadi. Jadi untuk menumbuhkan PbTe dengan metoda CSVT pada substrat monokristal harus menggunakan monokristal yang tidak reaktif dengan yodium.
Lead Telluride (PbTe) merupakan bahan semikonduktor dari group IV-VI yang telah banyak dipakai sebagai bahan divais infra merah dan termoelektrik. Pada tugas akhir ini, lapisan PbTe dibuat dengan metode Close Spaced Vapour Transport (CSVT) yang memiliki prinsip utama yang terletak pada kedekatan jarak antara sumber dan substrat, gradien temperatur, dan gas pembawa (yodium). Pada penelitian sebelumnya, lapisan PbTe telah berhasil ditumbuhkan pada substrat gelas pada temperatur proses 450 derajat C sampai 600 derajat C tanpa adanya pengotor (PbI2 dan Te) yang terdeposisi dan berhasil membuat lapisan PbTe dengan konduktivitas listrik tipe-p dan tipe-n. Berdasarkan penelitian tersebut, maka pada tugas akhir ini lapisan akan ditumbuhkan pada substrat monokristal InP dengan parameter proses yang sama seperti yang digunakan pada penelitian sebelumnya. Lapisan yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM), Energy Dispersive X-ray (EDX), metode Hot Probe, dan X-Ray Diffraction (XRD). Hasil karakterisasi menunjukan bahwa lapisan yang terbentuk didominasi oleh In2Te3 yang terbentuk karena adanya reaksi antara InP dengan yodium yang kemudian bereaksi dengan Te2(g). Reaksi PbI2 dengan Te2(g) yang diharapkan, ternyata tidak terjadi karena reaksi senyawa indium yodium dengan Te2(g) lebih mudah terjadi. Jadi untuk menumbuhkan PbTe dengan metoda CSVT pada substrat monokristal harus menggunakan monokristal yang tidak reaktif dengan yodium.
Download
book
BibTex
Latex, Jabref
cloud_download
Original Resource
url resource Institution
